Малосигнальные полевые МОП-транзисторы NXP устанавливают новые ориентиры для значений RDS(on)

Низкое сопротивление открытого канала полевых p-канальных и n-канальных МОП-транзисторов обеспечит экономию энергии в таких устройствах потребительской электроники, как ноутбуки, планшетные ПК, мобильные телефоны, электронные книги, телевизионные абонентские приставки и ЖК-телевизоры. Эти высокоэффективные полевые МОП-транзисторы поставляются массовыми партиями в небольших (3 х 3 мм) корпусах SOT23 и SOT457, таким образом, инженеры-разработчики смогут заменить компоненты большего типоразмера значительно более компактными – с тем же или меньшим сопротивлением открытого канала.

Факты/основные особенности:

• PMV16UN, один из новых n-канальных полевых МОП-транзисторов NXP в корпусе SOT23, имеет ультранизкое сопротивление RDS(on), 18 мОм максимально при VGS = 4,5 В.
• Новейшие малосигнальные полевые МОП-транзисторы NXP обеспечивают 20%-ное повышение энергоэффективности по сравнению с предыдущим поколением полевых МОП-транзисторов на базе Trench-технологии.
• Компоненты доступны уже сегодня, цена при заказе партиями от 1000 штук составляет 1,20 доллара США за штуку.
• В 2011 году будет выпущено около 70 типов малосигнальных полевых МОП-транзисторов.

Цитаты:

• «Наши малосигнальные полевые МОП-транзисторы задают новые ориентиры на высококонкурентном рынке потребительской электроники, демонстрируя самое низкое значение сопротивления открытого канала для компонентов в корпусе SOT23 и обеспечивая высокую энергоэффективность при гораздо более компактном форм-факторе», – сказал Йенс Шнепель (Jens Schnepel), менеджер по маркетингу транзисторов, компания NXP Semiconductors.